1. 고출력이 필요한 UV 광원에서 다수의 소형 LED 칩을 실장해야하지만 LED 칩의 구동전압이 환경에 따른 변화가 발생한다.

2. LED 플립칩을 이용하는 정전류 회로 광원모듈에서 대면적, 대전력 및 플립칩 구조를 가지는 정전류 다이오드를 개발 하였다.

LED 칩을 소형화하여 다수 집적 실장하는 경우, 예로 600X600=360,000 마이크론 면적의 한 개의 칩과 세 개의 350X350X3=367,500 면적의 칩에서 13.5 lm (60mA)과 18 lm (20X3=60mA) 으로 4.5 lm 의 이득이 있다.

주변 온도변화 TC에 따른 VF 변화	열 저항 R ᶿJ -A 및 접합온도 Tj 에 따른 VF 변화
자기 발열에 따른 VF 변화

LED 칩은 전압의 변화에 전류가 지수함수 적으로 크게 변화하며, 또 온도에 따라 구동 전압이 변화됨을 알 수 있다. 따라서 광원모듈에서 정전류 회로를 구성할 필요가 있으며 비용의 측면에서 플립칩 구조의 대면적 정전류다이오드의 개발하였다.

CLD 정전류다이오드는 구성회로가 간단하고 제조 및 회로 구성측면에서 30% 이상의 비용 절감이 가능할 것으로 기대 되었다.

*Based on total market volume of 6,686 M units

SMD type CLD

Flip Chip type CLD

Cost Effective Flip Chip Process and Market Revenue Estimation을 통한 칩 설계를 통하여, 핀치오프 5V, 핀치오프 전류 120 mA 소형 및 대형 다이오드 병렬 연결형 어레이 플립칩 형 CLD 칩을 개발하였다.

칩 크기에 따른 플립칩 정전류다이오드의 특성을 나타냈다.

Performance Comparison; Lite (L), C사 ©*, S사 (S)*

*Data acquired from respective datasheet

칩 크기에 따른 플립칩 정전류다이오드의 종래의 제품과 비교 특성을 나타냈다.